急速充電制御手段が備えるパワー半導体23は、サファイア基板23aと、サファイア基板上に形成された窒化ガリウムパワートランジスタ231とを備えており、窒化ガリウムパワートランジスタ231の素子外面には、急速充電制御手段における電力変換によって生ずる熱を放出させる放熱手段232が接合されている。1つの実施形態では、上記パワー半導体は、分極超接合を採用したパワー半導体である。さらに1つの実施形態では、上記放熱手段は、上記窒化ガリウムパワートランジスタの素子外面におけるソース領域とドレーン領域の少なくともいずれかに接続され、上記サファイア基板に対して遠ざかる方向に延びている。
According to the present invention, a quick charging control means is provided with a power semiconductor which comprises a sapphire substrate and a gallium nitride power transistor that is formed on the sapphire substrate; and a heat dissipation means, which dissipates heat generated during the electric power conversion in the quick charging control means, is bonded to the element outer surface of the gallium nitride power transistor. In one embodiment of the present invention, the power semiconductor employs polarization super junction. In another embodiment of the present invention, the heat dissipation means is connected to at least one of a source region and a drain region in the element outer surface of the gallium nitride power transistor, and extends in the direction away from the sapphire substrate.
蓄電モジュールおよび蓄電モジュール急速充電システム
2020-02-06
Patent
Electronic Resource
Japanese