To improve the performance of a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device has a SiC power MISFET formation region MR and a SiC-SBD formation region DR. On an n type semiconductor substrate 11, an ntype epitaxial layer 12 is formed. In the ntype epitaxial layer 12, a ptype body region 14 is formed, and in the ptype body region 14, an ntype source region 19 and an ntype current diffusion region 18 are formed. A gate electrode 21 is formed in a trench TR that penetrates the ntype source region 19 and reaches the ptype body region 14. A source wiring electrode 2 is formed on an interlayer insulating film 22, and the source wiring electrode 2 is electrically connected to the ntype source region 19 in the SiC power MISFET formation region MR via a barrier metal film 23, and electrically connected to the ntype epitaxial layer 12 in the SiC-SBD formation region DR.SELECTED DRAWING: Figure 3
【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体装置は、SiCパワーMISFET形成領域MRおよびSiC−SBD形成領域DRを有する。n型の半導体基板11上には、n-型のエピタキシャル層12が形成されている。n-型のエピタキシャル層12内には、p+型のボディ領域14が形成され、p+型のボディ領域14内には、n++型のソース領域19およびn+型の電流拡散領域18が形成されている。n++型のソース領域19を貫通し、p+型のボディ領域14に達するトレンチTR内には、ゲート電極21が形成されている。層間絶縁膜22上には、ソース配線用電極2が形成され、ソース配線用電極2は、バリアメタル膜23を介して、SiCパワーMISFET形成領域MRにおいて、n++型のソース領域19に電気的に接続し、SiC−SBD形成領域DRにおいて、n-型のエピタキシャル層12に電気的に接続している。【選択図】図3
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, POWER CONVERSION DEVICE, THREE-PHASE MOTOR SYSTEM, AUTOMOBILE, AND RAILWAY VEHICLE
半導体装置およびその製造方法、電力変換装置、3相モータシステム、自動車並びに鉄道車両
2020-03-12
Patent
Electronic Resource
Japanese
European Patent Office | 2022
|European Patent Office | 2024
|European Patent Office | 2017
|European Patent Office | 2016
|European Patent Office | 2019
|