Verfahren zum Betreiben eines Leistungshalbleiter-Moduls (2), wobei das Leistungshalbleiter-Modul (2) mindestens eine Parallelschaltung von mindestens zwei Leistungs-Transistoren (T1, T2; T3, T4) mit isolierten Gate-Anschlüssen (G1 - G4) aufweist, wobei die Gate-Anschlüsse (G1 - G4) der Leistungs-Transistoren (T1 - T4) einzeln herausgeführt sind und einzeln durch mindestens einen Gate-Treiberbaustein (3, 4) ansteuerbar sind, wobei in einem Speicher (5) eine Kennlinie (K) der Schwellspannung über der Temperatur (T) abgelegt ist, wobei in einem Initialisierungsschritt die Schwellspannung jedes Leistungs-Transistors (T1 - T4) bei einer aktuell vorliegenden Temperatur (T) gemessen wird und für jeden Leistungs-Transistor (T1 - T4) eine angepasste Kennlinie (K') aufgrund der gemessenen Schwellspannung abgespeichert wird, wobei im Betrieb die Schwellspannungen der Leistungs-Transistoren (T1 - T4) erfasst werden und daraus eine Temperatur (T) jedes einzelnen Leistungs-Transistors (T1 - T4) bestimmt wird, wobei bei einer Abweichung der Temperatur (T) zwischen mindestens zwei Leistungs-Transistoren (T1, T2; T3, T4) die Ansteuerung mindestens eines der Leistungs-Transistoren (T1, T2; T3, T4) verändert wird, um der Abweichung entgegen zu wirken.

    The invention relates to a method for operating a power semiconductor module, the power semiconductor module having at least one parallel circuit of at least two power transistors with an insulated gate connection, the gate connections of the power transistors are individually led out and can be individually controlled by at least one gate drive structure group, a characteristic curve of the threshold voltage with respect to the temperature is stored in a memory, and in an initialization step, the threshold voltage of each power transistor is measured at the currently present temperature, and in the initialization step, the threshold voltage of each power transistor is measured at the currently present temperature. The threshold voltages of the power transistors are detected during operation and the temperature of each individual power transistor is determined therefrom, and wherein the threshold voltages of the power transistors are detected when there is a temperature deviation between at least two power transistors and the temperature of the individual power transistors is detected when there is a temperature deviation between the at least two power transistors. The manipulation of at least one of the power transistors is varied in order to eliminate the deviation.


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    Title :

    Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben eines Leistungshalbleiter-Moduls und Gate-Treiberbaustein


    Contributors:

    Publication date :

    2025-03-20


    Type of media :

    Patent


    Type of material :

    Electronic Resource


    Language :

    German


    Classification :

    IPC:    H02M APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS , Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen / B60L PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES , Antrieb von elektrisch angetriebenen Fahrzeugen / G01R Messen elektrischer Größen , MEASURING ELECTRIC VARIABLES / H02H EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS , Schutzschaltungsanordnungen / H03K PULSE TECHNIQUE , Impulstechnik



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