Verfahren zur Verhinderung der Injektion eines Substratstroms in das Substrat (Sub) eines CMOS-Schaltkreises- mit einem Kontakt (PDH, PDL) des CMOS-Schaltkreises und- mit einer Bezugspotenzialleitung (GND),mit den folgenden Schritten:- Erfassen des Potenzials des Kontakts (PDH, PDL);- Vergleichen des Werts des erfassten Potenzials des Kontakts (PDH, PDL) mit einem Referenzwert;- Verbinden des Kontakts (PDH, PDL) mit der Bezugspotenzialleitung (GND) oder einer anderen Leitung mit einem Potenzial höher als das Potenzial der Bezugspotenzialleitung (GND), wenn der Wert des Potenzials des Kontakts (PDH, PDL) unter einem Referenzwert liegt, wobei dieser Referenzwert für den Wert des Potenzials des Kontakts (PDH, PDL)- unter dem Wert des Potenzials des Substrats (Sub) liegt und/oder- unter dem Wert des Potenzials der Bezugspotenzialleitung (GND) liegt.


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    Title :

    Verfahren zur Verhinderung der Injektion von Substratströmen über einen Kontakt eines integrierten Schaltkreises bei einem Unfall


    Contributors:

    Publication date :

    2022-02-10


    Type of media :

    Patent


    Type of material :

    Electronic Resource


    Language :

    German


    Classification :

    IPC:    B60R Fahrzeuge, Fahrzeugausstattung oder Fahrzeugteile, soweit nicht anderweitig vorgesehen , VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR



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