Verfahren zur Überprüfung der Funktionsfähigkeit einer Trennschalteranordnung (18, 20, 34) zum Herstellen/Trennen einer Verbindung zweier Schaltungsbereiche (36, 38, 40, 42), insbesondere in einem Fahrzeug, wobei die Trennschalteranordnung (18, 20, 34) wenigstens ein MOSFET-Schaltelement (44) umfasst, wobei ein Source-Anschluss (46) des wenigstens einen MOSFET-Schaltelements (44) in Verbindung mit einem der Schaltungsbereiche (36, 38, 40, 42) ist und ein Drain-Anschluss (48) des wenigstens einen MOSFET-Schaltelements (44) in Verbindung mit dem anderen Schaltungsbereich (36, 38, 40, 42) ist, und wobei dem wenigstens einen MOSFET-Schaltelement (44) ein Gate-Treiberanordnung (52) zum Anlegen einer Gate-Spannung (UGA) an einen Gate-Anschluss (50) des wenigstens einen MOSFET-Schaltelements (44) zum Schalten der Trennschalteranordnung (18, 20, 34) in einen die beiden Schaltungsbereiche (36, 38, 40, 42) miteinander verbindenden Verbindungs-Schaltzustand zugeordnet ist, wobei das Verfahren die Maßnahmen umfasst:A) in einer Verbindungsphase, Schalten der Trennschalteranordnung (18, 20, 34) in einen die beiden Schaltungsbereiche (36, 38, 40, 42) miteinander verbindenden Verbindungs-Schaltzustand durch Anlegen einer Gate-Spannung (UGA) an den Gate-Anschluss (50) des wenigstens einen MOSFET-Schaltelements (44),B) Überwachen der Gate-Spannung (UGA) während der Verbindungsphase,C) Überwachen einer während der Verbindungsphase am Source-Anschluss (46) oder/und Drain-Anschluss (48) anliegenden Grundspannung (UG),D) dann, wenn eine Differenz (DAG) zwischen Gate-Spannung (UGA) und Grundspannung (UG) während der Verbindungsphase eine vorbestimmte Referenz-Differenz (DR) unterschreitet, entscheiden, dass ein Schaltungsdefekt in wenigstens einem MOSFET-Schaltelement (44) der Trennschalteranordnung (18, 20, 34) vorliegt.
A process tests an operability of a circuit breaker device (18, 20, 34) to establish/sever a connection of two circuit areas (36, 38, 40, 42). The circuit breaker device includes a MOSFET (44) with a source terminal (46) connected with a circuit area, a drain terminal (48) connected with a circuit area, and a gate terminal (50) with a gate voltage applied by an associated gate driver device (52) to switch into a connection switching state connecting the two circuit areas during a connection phase. The gate voltage is monitored during the connection phase, a base voltage being applied to the source terminal or/and to the drain terminal during the connection phase is monitored. If a difference between the gate voltage and the base voltage falls below a predefined reference difference during the connection phase, it is determined that a circuit defect is present in the MOSFET.
Verfahren zur Überprüfung der Funktionsfähigkeit einer Trennschalteranordnung
2022-09-15
Patent
Electronic Resource
German
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