Industrielles Verbundprojekt: Analyse und Aufbau von Material- und Schichtsystemen für Hochleistungslaserdioden : Teilvorhaben: Epitaxie, Chiptechnologie und Aufbau von Hochleistungslaserdioden im Wellenlängenbereich von 630 nm bis 1550 nm ; Abschlußbericht ; Laufzeit: 01.01.1994-31.12.1996 ; BMBF-Forschungsvorhaben
1997
[ca.170] Bl. in getr. Zählung
graph. Darst
Förderkennzeichen BMFT/BMBF 13 N 6383/0. - Verbund-Nr.62400003
Die Vorlage enth. insgesamt 4 Werke
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