PFC-Dioden: Schottky- mit p-n-Ubergang kombiniert
ELEKTRONIK INDUSTRIE ; 40 , 12 ; 31-36
2009-01-01
6 pages
Article (Journal)
German
DDC: | 333.7932 |
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Gehäusekonzepte für Leistungs-MOSFETs und Schottky-Dioden
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