In dieser Arbeit werden neue Ergebnisse zu integrierbaren elektronischen Bauelementen präsentiert. Es wurden integrierbare Silicium Hochvoltkondensatoren mit einer Flächenkapazität von 1 bis 1,5nF/mm(exp 2) und einer Durchbruchfestigkeit von 200 bis 800 V in Siliciumhalbleiter-Technologie hergestellt und erforscht. Des Weiteren wurden Sicherungsstrecken, welche Teil einer aktiven Sicherung sind, hergestellt und charakterisiert. Hierbei konnte unter anderem eine Lageunabhängikeit des Schmelzstromes nachgewiesen werden und die Schmelzzeit konnte durch Beschaltung mit einem RC-Bauelement deutlich verringert werden.
Integrierbare Bauelemente zur Erhöhung der Betriebssicherheit elektronischer Systemkomponenten im Automobil
AmE 2010 - Automotive meets Electronics - GMM-Fachtagung ; 2010 ; Dortmund, Germany
2010-01-01
6 pages
Aufsatz (Konferenz)
Elektronische Ressource
Deutsch
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