Vorgestellt wird die Entwicklung der SIPMOS-Power-MOSFET's (SIP 1, 2, 3, m-FET und S-FET) für den Zeitraum 1978 bis 1996. Die Weiterentwicklung dieses Zellkonzeptes für Feldeffekttransistoren ist gekennzeichnet durch eine erhebliche Verkleinerung des Zellabstandes, der Kontaktlochöffnungen, der Zellenöffnung und der Source-Länge (Kanallänge). Hierdurch wurden eine wesentlich höhere Zelldichte, eine Verringerung der Schaltzeiten, die Anhebung der Durchbruchspannung, die Verbesserung der Zuverlässigkeit, eine geringere Verlustleistung und die Reduzierung des spezifischen Einschaltwiderstandes erreicht. Der heutige MOS-gesteuerte S-FET-Leistungshalbleiter (Spacer-Technologie) ermöglicht das Schalten von Strömen bis über 100 A bei Spannungen bis zu 55 V. Auf den Herstellungsprozeß als Kombination von Ätzen und Abscheidung wird eingegangen. Die Daten der S-FET-Produktfamilien BUZ und BSP sind aufgeführt. An den Beispielen einer ABS-Schaltung und eines Step-Down-Konverters werden einige Einsatzmöglichkeiten in der Automobilelektronik aufgezeigt.
Robuster durch neues Zellkonzept. Leistungshalbleiter
High power spacer-type MOSFET's
Siemens Components ; 35 , 1 ; 9-11
1997
3 Seiten, 5 Bilder, 2 Tabellen
Aufsatz (Zeitschrift)
Deutsch
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