High efficiency semiconsemiconductor-insulator-semiconductor (SIS) solar cells irradiated at 1 MeV showed a 66 % decrease in AMO efficiency compared to a typical 23 % decrease in n/p junction cells. Spectral response and diffusion length measurements show that this pronounced degradation is related to increased minority carrier recombination. Thermionic emission theory indicates a eadecrease in barrier height with incrased fluence.


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    Titel :

    1 MeV electron radiation effects in SnO2-SiO2-silicon solar cells


    Weitere Titelangaben:

    Bestrahlungseffekte von 1 MeV-Elektronen auf Solarzellen aus SnO2-SiO2


    Beteiligte:
    Thayer, M.L. (Autor:in) / Anderson, W.A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1983


    Format / Umfang :

    4 Seiten, 4 Bilder, 1 Tabelle, 9 Quellen



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




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