Es wird eine Uebersicht gegeben ueber die Entwicklung der aktiven Bauelemente in den atlantischen Nachrichtenkabeln und anschliessend ueber den gegenwaertigen Stand der Technik und den Fortschritt in der Entwicklung von Silicium-Bipolartransistoren in Unterwasserkabelsystemen fuer 45 MHz Bandbreite berichtet. Behandelt wird die Transistorfamilie PO 40 mit den Typen 40B und 40C. Die Technologie und die besonderen Eigenschaften dieser Transistoren werden beschrieben, wie: Linearitaet, lange Lebensdauer, Zuverlaessigkeit, Bandbreite, kreisfoermige Anordnung der 36 Emitterelemente (40C), Lebensdauervorhersage, u.a. Eingang TIB 9.78


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    Titel :

    High-reliability transistors for submarine systems


    Weitere Titelangaben:

    Transistoren hoher Zuverlaessigkeit fuer Unterwassersysteme


    Beteiligte:
    Baker, D. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1978


    Format / Umfang :

    19 Seiten, 15 Bilder, 4 Tabellen, 9 Quellen


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Reliability Requirements for Submarine Systems Components

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998


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    Kaneoya, R. / Kondo, S. / Shinozaki, K. | Tema Archiv | 1974


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    Matsuda, Nobuaki / Sakaguchi, Mareto / Kanda, Ryo et al. | Tema Archiv | 2004


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    Wright, J.V. | IEEE | 1998


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