Zugriff

    Weiterleitung zur SLUB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Radiation hardening study of displacement damage in silicon


    Untertitel :

    Executive summary : executive summary for COO 11-R1 (WO 10)



    Erscheinungsdatum :

    1993


    Format / Umfang :

    [5], 11 Bl.


    Anmerkungen:

    2


    Medientyp :

    Report


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    RVK:    ZO 8100



    Computer Simulation of Displacement Damage in Silicon Carbide

    Devanathan, R. / Gao, F. / Weber, W. J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2005



    Radiation Hardening of Computers

    Nichols, D. K. / Smith, L. S. / Zoutendyk, J. A. et al. | NTRS | 1986


    Radiation Hardening, Reliability and Redundancy

    Sebestyen, George / Fujikawa, Steve / Galassi, Nicholas et al. | Springer Verlag | 2018