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    Titel :

    InP tunnel junctions grown by atomic layer molecular beam epitaxy on InP and InP-on-Si substrates



    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1995



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch



    Klassifikation :

    BKL:    50.70 Energie: Allgemeines / 52.56 Regenerative Energieformen, alternative Energieformen / 52.52 Thermische Energieerzeugung, Wärmetechnik / 53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher



    Atomic Layer Epitaxy of ZnO for Substrates for GaN Epitaxy

    Godlewski, M. / Szczerbakow, A. / Kopalko, K. et al. | British Library Conference Proceedings | 2002


    Atomic layer epitaxy of ZnO for substrates for GaN epitaxy

    Godlewski, M. / Szczerbakow, A. / Kopalko, K. et al. | IEEE | 2002



    The characteristic of 3-stacked InGaAs/GaAs QD (quantum dot) lasers grown by atomic layer molecular beam epitaxy

    Heo, D. / Song, J. D. / Choi, W. J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003