Random-access memory (RAM) devices of proposed type exploit magneto-optical properties of magnetic garnets exhibiting perpendicular anisotropy. Magnetic writing and optical readout used. Provides nonvolatile storage and resists damage by ionizing radiation. Because of basic architecture and pinout requirements, most likely useful as small-capacity memory devices.


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    Titel :

    Garnet Random-Access Memory


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1995-11-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




    Garnet Random-Access Memory

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    Holographic Random Access Memory

    Liu, W. / Psaltis, D. / Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2000



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    Katti, Romney R. / Stadler, Henry L. / Wu, Jiin-Chuan | NTRS | 1994