Circuit measures total dose of ionizing radiation in terms of shift in threshold gate voltage of doped-channel metal oxide/semiconductor field-effect transistor (p-MOSFET). Drain current set at temperature-independent point to increase accuracy in determination of radiation dose.


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    Titel :

    Advanced p-MOSFET Ionizing-Radiation Dosimeter


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.05.1994



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch