Straighforward design changes improve performance and simplify fabrication. Anode contact finger forms bridge over channel material removed to reduce parasitic shunt capacitance. Device made by standard processing techniques readily accommodating changes of design.


    Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Schottky Diode With Surface Channel


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.07.1988



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




    Improved Planar Schottky Diode

    Bishop, William / Mattauch, Robert | NTRS | 1991


    Non-Linear SCHOTTKY Diode Characterization used in...

    Douyere, A. / Celeste, A. / Descharles, C. et al. | AIAA | 2005


    Micromachined split-block Schottky-diode mixer for 600 GHz

    Schur, J. / Biber, S. / Gumbmann, F. et al. | IEEE | 2004


    Schottky barrier light emitting diode in standard CMOS technology

    Beiju Huang, / Wei Wang, / Zan Dong, et al. | IEEE | 2011