New technique produces high-mobility multilayer films suitable for use on silicon process line. New material is multilayer film of alternate layers of silicon and alloy of silicon and germanium. Films grown thus far have electron mobilities 50 percent greater than epitaxial silicon films grown previously.


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    Titel :

    High-Mobility Epitaxial Silicon Wafers


    Beteiligte:
    Stermer, R. L., Jr (Autor:in) / Fripp, A. L., Jr. (Autor:in) / Jones, A. (Autor:in) / Mcmullen, J. (Autor:in) / Manasevit, H. (Autor:in) / Gergis, I. (Autor:in) / Soclof, S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1985-01-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :



    Smoother Scribing of Silicon Wafers

    Danyluk, S. | NTRS | 1986


    Reciprocating Saw for Silicon Wafers

    Morrison, A. D. / Collins, E. R., Jr. | NTRS | 1985


    Automated Texturization of Silicon Wafers

    Chitre, S. / Snyder, C. / Jones, G. et al. | NTRS | 1985