Direct current applied to molten silicon during crystallization causes impurities to migrate away from interface of growing crystal. Method improves purity of crystal without interfering with growth process or requiring additional operator attention.


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    Titel :

    Purifying Silicon During Crystal Growth


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1984-12-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


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    Chaney, R. E. / Ingle, W. M. / Thompson, S. W. | NTRS | 1980


    Crack Growth in Single-Crystal Silicon

    Chen, C. P. / Leipold, M. H. | NTRS | 1986


    Oxide Control for Silicon Crystal Growth

    Wehrli, H. A. I. | NTRS | 1982


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