Improved fabrication of InGaAsP stripe lasers involves replacement of oxide stripe in quaternary laser by an n-type layer of InP grown on top of quaternary cap layer. Process allows use of stop etch that selectively removes InP and does not etch InGaAsP, making fabrication especially convenient.


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    Titel :

    Modified Fabrication for InGaAsP Strip Laser


    Beteiligte:
    Ladany, I. (Autor:in) / Furman, T. R. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1984-12-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


    Mode-locked InGaAsP laser

    Fan, Honglei / Wu, C. / Choudhury, Niloy et al. | SPIE | 2000




    Fabrication of Multiple-Wavelength Lasers in InGaAs/InGaAsP Structures Using Direct Laser Writing

    Ong, T. K. / Chan, Y. C. / Ooi, B. S. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001


    Mode-locked InGaAsP laser [4042-16]

    Fan, H. / Wu, C. / Choudhuri, N. et al. | British Library Conference Proceedings | 2000