Low noise achieved without usual high resistance. Barrier of p-type material placed between metal anode and heavily-doped gallium arsenide. Ntype epitaxial layer eliminated. Barrier prevents quantum tunneling of electrons between semiconductor and metal. Higher breakdown structure provided.


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    Titel :

    Low-Noise Submillimeter-Wave Diode


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.11.1984



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




    BIN Diode For Submillimeter Wavelengths

    Maserjian, J. | NTRS | 1989



    Optimization of a Schottky Barrier Mixer Diode in the Submillimeter Wave Region

    Nozokido, T. / Chang, J. J. / Mann, C. M. et al. | British Library Online Contents | 1994


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