Heat exchanger method continuously moves impurities to outside of growth interface. Silicon heated in crucible to above melting point, and melted silicon then solidified by extracting heat from bottom of crucible by means of heat exchanger.


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    Titel :

    Growing Single Crystals From Low-Purity Silicon


    Beteiligte:
    Schmid, F. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1984-04-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


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