Preferential etching by mixture of nitric and hydrochloric acids reveals crystal dislocation defects (type D) and impurity-dislocation defects (type S) in these crystals, which have optical and electrical applications.


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    Titel :

    Etchant for HgxCd1-xTe Crystals


    Beteiligte:
    Irene, E. A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1983-03-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


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