Controlled amount of etchant applied to surface of rotating sample removes only few angstroms of material. Technique is suited to study of chemical and crystal structures. Rate can be varied through control of spin frequency, liquid viscosity, droplet size, total etchant volume, etchant concentration.


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    Titel :

    Precise wet-chemical etching


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1980-04-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


    Deep, Precise Etching in Semiconductors

    Shlichta, P. J. / Barth, P. W. | NTRS | 1987


    Chemical etching plant doubles

    Emerald Group Publishing | 2001


    Chemical Beam Etching with Monolayer Control

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994



    Modeling chemical vapor deposition and etching processes

    Hyman, E / Tsang, K / Lane, B | AIAA | 1995