Vulnerability of a variety of candidate spacecraft electronics to total ionizing dose and displacement damage is studied. Devices tested include optoelectronics, digital, analog, linear bipolar devices, and hybrid devices.


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    Titel :

    Silicon Schottky Diode Safe Operating Area


    Beteiligte:
    M. C. Casey (Autor:in) / M. J. Campola (Autor:in) / J. Lauenstein (Autor:in) / E. P. Wilcox (Autor:in) / A. M. Phan (Autor:in) / K. A. LaBel (Autor:in)

    Erscheinungsdatum :

    2016


    Format / Umfang :

    16 pages


    Medientyp :

    Report


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




    Silicon Schottky Diode Safe Operating Area

    M. C. Casey / J. Lauenstein / R. L. Ladbury et al. | NTIS | 2016


    Automotive MOSFETs Operating in the Safe Operating Area

    Puerschel, Marco / Kiep, Andreas / Spielman, Chris | British Library Conference Proceedings | 2015


    Automotive MOSFETs Operating in the Safe Operating Area

    Kiep, Andreas / Spielman, Chris / Puerschel, Marco | SAE Technical Papers | 2015


    Automotive MOSFETs operating in the safe operating area

    Puerschel,M. / Kiep,A. / Spielman,C. et al. | Kraftfahrwesen | 2015


    Improved Planar Schottky Diode

    Bishop, William / Mattauch, Robert | NTRS | 1991