We experimentally demonstrate the presence of internal piezoelectric fields in (100)-oriented III-V semiconductor heterostructures. The piezoelectric fields are produced by internal shear strain engineered in InGaAs quantum well microbridges.


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    Titel :

    Piezoelectricity in (100) III-V semiconductors


    Beteiligte:
    Stievater, T.H. (Autor:in) / Rabinovich, W.S. (Autor:in) / Park, D. (Autor:in) / Boos, J.B. (Autor:in) / Biermann, M.L. (Autor:in) / Kanakaraju, S. (Autor:in) / Calhoun, L.C. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    1877036 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Piezoelectricity in (100) III-V Semiconductors

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