We describe the theoretical analysis and calculations of the 980nm high-power diode-pumped vertical external cavity surface emitting laser (VECSEL). The VECSEL with active region of InGaAs/GaAsP/AlGaAs system can be operated near 500mw in a single transverse mode.


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    Titel :

    High Power Diode Pumped Vertical Externalcavity Surface-emitting Lasers (VECSELS)


    Beteiligte:
    Lu, G.G. (Autor:in) / He, C.F. (Autor:in) / Shan, X.N. (Autor:in) / Qin, L. (Autor:in) / Yan, C.L. (Autor:in) / Ning, Y.Q. (Autor:in) / Wang, L.J. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.09.2006


    Format / Umfang :

    1126641 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Commercialization of High Power Diode Lasers and Diode-Pumped Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993



    Micromirrors for wafer-scale fabrication of electrically-pumped VECSELs

    Keeler, G.A. / Serkland, D.K. / Geib, K.M. et al. | IEEE | 2004



    High-brightness, high-power diode-pumped lasers

    Unternahrer, J.R. / Kukla, M.J. / Burnham, R. et al. | IEEE | 1994