We report on high power diode pumped Nd:GdVO/sub 4/ lasers passively Q-switched by Cr/sup 4+/:YAG crystals of different initial transmission. Q-switched pulses of duration of 6 ns and peak power of 26.4 kW have been obtained.


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    Titel :

    High power diode-pumped Nd:GVO/sub 4/ lasers passively Q-switched by Cr/sup 4+/:YAG crystals


    Beteiligte:
    Ng, S.P. (Autor:in) / Tang, D.Y. (Autor:in) / Qin, L.J. (Autor:in) / Meng, X.L. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    71584 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Diode-pumped passively Q-switched high-brightness microchip lasers

    Sakai, H. / Akihiro Sone, / Hirohumi Kan, et al. | IEEE | 2005


    High power diode-pumped Nd:GVO~4 lasers passively Q-switched by Cr^4^+:YAG crystals

    Ng, S. P. / Tang, D. Y. / Qin, L. J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    High-brightness laser-diode pumped passively Q-switched Nd:S-VAP lasers

    Deyuan Shen, / Jie Song, / Cheng Li, et al. | IEEE | 1999