We describe a new design to achieve the 1.55-/spl mu/m intersubband transition (ISBT) in Al/sub x/Ga/sub 1-x/N/GaN materials under the existence of a built-in field. We also show that this new design is effective to process ultrashort optical pulses in a waveguide configuration.


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    Titel :

    Interminiband transition in AlGaN/GaN superlattice for 1.55-/spl mu/m ultrafast optical switches


    Beteiligte:
    Suzuki, N. (Autor:in) / Iizuka, N. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1999


    Format / Umfang :

    125843 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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