Sb surfactant suppresses three-dimensional growth of highly strained InGaAs wells on InP substrate. The emission wavelength exceeds 2.1 µm for a buried-heterostructure laser with an active region using InGaAs wells.


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    Titel :

    2.1-µm Wavelength Strained InGaAs Multiple-Quantum-Well Lasers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy assisted by Sb Surfactant


    Beteiligte:
    Sato, T. (Autor:in) / Mitsuhara, M. (Autor:in) / Watanabe, T. (Autor:in) / Kasaya, K. (Autor:in) / Kondo, Y. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    425621 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    InGaAs/GaAs strained quantum-well lasers

    Dutta, Niloy K. | SPIE | 1993



    Synthesis of high-quality InGaAs/InGaAsP/InP quantum well structures by metalorganic vapor phase epitaxy [3211-10]

    Arora, B. M. / Gokhale, M. / Shah, A. P. et al. | British Library Conference Proceedings | 1997


    Metalorganic vapor phase epitaxy of quantum dots

    Coleman, J.J. / Yeoh, T.S. | IEEE | 2001