An unstable external cavity diode laser is presented with an AR-coated stripe-array diode as gain medium which yields up to 1 W with a bandwidth below 3 MHz and M2< 2 over the tuning range 940 nm through 980 nm.


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    Titel :

    High Brightness High Brilliance Tunable Broad Area Diode Laser with 1 W of Near Diffraction Limited Light


    Beteiligte:
    Raab, V. (Autor:in) / Jechow, A. (Autor:in) / Menzel, R. (Autor:in) / Cenkier, M. (Autor:in) / Stry, S. (Autor:in) / Sacher, J. (Autor:in) / Kelemen, M. (Autor:in) / Mikulla, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    155396 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Near-diffraction-limited high power diode laser tunable from 895 to 960 nm

    Kelemen, M.T. / Rinner, F. / Rogg, J. et al. | IEEE | 2002




    High-Power, Diffraction-Limited, External-Cavity Tunable Diode Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993