An external-cavity diode laser including a ridge-waveguide tapered amplifier structure is demonstrated to emit more than 1 W cw. The wavelength is tunable over a 60 nm span centered at 935 nm. The beam quality parameter M/sup 2/ remains below 1.8 for output powers of 1 W over the whole span.


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    Titel :

    Near-diffraction-limited high power diode laser tunable from 895 to 960 nm


    Beteiligte:
    Kelemen, M.T. (Autor:in) / Rinner, F. (Autor:in) / Rogg, J. (Autor:in) / Kiefer, R. (Autor:in) / Mikulla, M. (Autor:in) / Weimann, G. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    131730 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    High-power, diffraction-limited, external-cavity tunable diode lasers

    Mehuys, D. / Welch, D.F. / Scifres, D.R. | IEEE | 1993


    High-Power, Diffraction-Limited, External-Cavity Tunable Diode Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993



    High-Power Near-Diffraction-Limited Wavelength-Beam-Combined Diode Arrays

    Chann, B. | British Library Conference Proceedings | 2005