Summary form only given. High-power mid-infrared semiconductor lasers emitting between 2 and 5 /spl mu/m are desirable for military applications such as infrared countermeasures. At 2 /spl mu/m, high cw power greater than 1 W has been obtained at room temperature for GaInAsSb-AlGaAsSb strained quantum-well diode lasers.


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    Titel :

    High-power mid-infrared semiconductor lasers


    Beteiligte:
    Choi, H.K. (Autor:in) / Turner, G.W. (Autor:in) / Le, H.Q. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1997


    Format / Umfang :

    80196 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    High-Power Mid-Infrared Semiconductor Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


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