High temperature degradation of the efficiency of 1.5 /spl mu/m InGaAs(P) lasers is shown to be due to strong coupling between Auger recombination and internal absorption. This is explained using a simple analytical model.


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    Titel :

    Origin of the high temperature performance degradation of 1.5 /spl mu/m lnGaAs(P)/lnP quantum well lasers


    Beteiligte:
    Sweeney, S.J. (Autor:in) / Thijs, P.J.A. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    127544 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch