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    Titel :

    Origin of the High Temperature Performance Degradation of 1.5mum InGaAs(P)/InP Quantum Well Lasers


    Beteiligte:

    Kongress:

    Annual meeting; 16th, IEEE Lasers & Electro-optics Society; LEOS 2003 ; 2003 ; Tucson, AZ



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat. no. 03CH37460




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Reduced Monomolecular Recombination in GaInNAsSb/GaAs Lasers at 1.5mum

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004



    Differential Gain and Nonlinear Gain Compression of GaInNAsSb/GaAs Lasers at 1.5mum

    Goddard, L. | British Library Conference Proceedings | 2005



    High Performance Strained-Layer InGaAs Quantum Well Lasers Grown on (311)A GaAs Substrates

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994