Silicon modulator based on interdigitated PN junctions integrated in a ring resonator is experimentally demonstrated, showing a 4 dB Extinction Ratio at 10 Gbit/s.


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    Titel :

    10 Gbit/s silicon modulator based on interdigitated PN junctions


    Beteiligte:
    Ziebell, M. (Autor:in) / Marris-Morini, D. (Autor:in) / Rasigade, G. (Autor:in) / Crozat, P. (Autor:in) / Fedeli, J. (Autor:in) / Grosse, P. (Autor:in) / Cassan, E. (Autor:in) / Vivien, L. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.09.2011


    Format / Umfang :

    423488 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    10 Gbit/s silicon optical modulator with 8 dB extinction ratio

    Rasigade, G. / Marris-Morini, D. / Ziebell, M. et al. | IEEE | 2011


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