We demonstrate lasing in InGaAsP (1.3 /spl mu/m) vertical cavity lasers employing GaAs/AlAs mirrors on a GaAs substrate. The lasers operate pulsed at 300 K with a threshold current of 9 mA and they operate continuous wave at temperatures as high as 230 K.<>


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Wafer fused long wavelength vertical cavity lasers


    Beteiligte:
    Dudley, J.J. (Autor:in) / Babic, D.I. (Autor:in) / Yang, L. (Autor:in) / Mirin, R. (Autor:in) / Miller, B.I. (Autor:in) / Ram, R.J. (Autor:in) / Reynolds, T. (Autor:in) / Hu, E.L. (Autor:in) / Bowers, J.E. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.1993


    Format / Umfang :

    126816 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Wafer Fused Long Wave-length Vertical Cavity Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Long-wavelength Vertical-cavity Lasers Through Wafer Fusion

    Margalit, N.M. / Yijen Chiu / Bowers, J.E. et al. | IEEE | 1997


    Long Wavelength Vertical Cavity Lasers

    Streubel, K. / Hammar, M. | IEEE | 1998


    Submilliamp long wavelength vertical cavity lasers

    Margalit, N.M. / Babic, D.I. / Streubel, K. et al. | IEEE | 1996


    Submilliamp Long Wavelength Vertical Cavity Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996