The strong electroabsorption modulation possible in Ge/SiGe quantum wells promises efficient, CMOS-compatible integrated optical modulators. We demonstrate surface-normal asymmetric Fabry-Perot and microdisk resonator modulators employing Ge quantum wells grown on silicon.


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    Titel :

    Ge quantum well resonator modulators


    Beteiligte:
    Edwards, E. H. (Autor:in) / Audet, R. M. (Autor:in) / Fei, E. (Autor:in) / Shambat, G. (Autor:in) / Schaevitz, R. K. (Autor:in) / Yiwen Rong, (Autor:in) / Claussen, S. A. (Autor:in) / Kamins, T. I. (Autor:in) / Vuckovic, J. (Autor:in) / Harris, J. S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.09.2011


    Format / Umfang :

    409831 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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