InGaAsP/InP microring lasers and optical amplifiers providing gain at 1550 nm are demonstrated. The microrings provide about 10 dB of gain in pulsed mode. Sulfur passivation is used to reduce carrier loss to surface recombination.


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    Titel :

    Electrically pumped InGaAsP/InP microring optical amplifiers and lasers with surface passivation


    Beteiligte:
    Amarnath, K. (Autor:in) / Grover, R. (Autor:in) / Kanakaraju, S. (Autor:in) / Ping-Tong Ho, (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    1866530 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    Direct Modulation Properties of 1.55-μm InGaAsP/InP Microring Lasers

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