In this paper, we study the mechanisms of the 4H-SiC avalanche photodiode (APD) dark current and find that the mesa sidewall leakage current is the primary contributor. Improving the sidewall passivation decreases the device dark current.


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    Titel :

    Low dark current 4H-SiC avalanche photodiodes


    Beteiligte:
    Guo, X. (Autor:in) / Beck, A. (Autor:in) / Yang, B. (Autor:in) / Campbell, J.C. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    135390 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch