We demonstrated very low threshold carrier- and index-confined semiconductor lasers made of a single selective-area-growth without regrowths. The threshold current is as low as 2.7 mA with excellent uniformity and reproducibility.


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    Titel :

    Very low threshold, carrier- and index-confined semiconductor lasers by one single selective-area-growth


    Beteiligte:
    Jianxin Cai, (Autor:in) / Yongli Gu, (Autor:in) / Xiaoming Ji, (Autor:in) / Jingzhou Yan, (Autor:in) / Guoyun Ru, (Autor:in) / Cheng, L. (Autor:in) / Choa, F.-S. (Autor:in) / Fan, J. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    886472 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch