The gain dynamics in electrically-pumped InGaAs quantum dot amplifiers at 300 K is measured to be in the subpicosecond range for both ground and excited state transitions, promising for all-optical signal processing at >40 GHz repetition rates.


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    Titel :

    Ultrafast gain recovery dynamics of the excited state in InGaAs quantum dot amplifiers


    Beteiligte:
    Schneider, S. (Autor:in) / Woggon, U. (Autor:in) / Borri, P. (Autor:in) / Langbein, W. (Autor:in) / Ouyang, D. (Autor:in) / Sellin, R.L. (Autor:in) / Bimberg, D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    1015230 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Ultrafast Gain Recovery Dynamics of the Excited State in InGaAs Quantum Dot Amplifiers

    Woggon, U. | British Library Conference Proceedings | 2005


    Ultrafast dynamics in InAs/GaAs quantum dot amplifiers

    Borri, P. / Langbein, W. / Hvam, J.M. et al. | IEEE | 1999



    Ultrafast excited state dynamics in organic semiconducting systems

    Sivanesan, Vipilan / Universität Heidelberg | TIBKAT | 2021


    Linewidth enhancement factor in InGaAs quantum dot amplifiers

    Schneider, S. / Borri, P. / Langbein, W. et al. | IEEE | 2003