This work reports on the simulation of the multiplication and excess noise in a 0.2 /spl mu/m thick InP multiplication region with a 1.5 /spl mu/m InGaAs absorption region. The effect of ionization in InGaAs appears to make very little difference to the multiplication and noise characteristics.


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    Titel :

    Low noise avalanche photodiodes


    Beteiligte:
    David, J.P.R. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    132062 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Low noise avalanche photodiodes

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