The characteristics of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) grown InGaAs quantum dot infrared photodetectors based on the quantum-dots-in-a-well (DWell) structure are reported.


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    Titel :

    InGaAs quantum dots-in-a-well photodetectors grown by metal organic chemical vapor deposition


    Beteiligte:
    Jolley, G. (Autor:in) / Tan, H.H. (Autor:in) / Fu, L. (Autor:in) / Jagadish, C. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    145607 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch