Summary form only given. Reverse-mesa ridge waveguide lasers have been fabricated based on AlGaInAs multiple quantum well active region at 1550 nm wavelength and high performance CW operation has been demonstrated.


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    Titel :

    Reverse-mesa ridge waveguide long wavelength AlGaInAs-InP multiple quantum well lasers


    Beteiligte:
    Yi Qian (Autor:in) / Lu, H. (Autor:in) / Burroughs, S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1998


    Format / Umfang :

    122811 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Reverse-Mesa Ridge Waveguide Long Wavelength AlGaInAs/InP Multiple Quantum Well Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998




    Long-wavelength ridge-waveguide InGaAsN/GaAs single quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy

    Wang, J. S. / Kovsh, A. R. / Hsiao, R. S. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    Long wavelength GaInNAs ridge waveguide lasers with GaNAs barriers

    Ha, W. / Gambin, V. / Wistey, M. et al. | IEEE | 2001