AlGaAs native-oxide apertures buried within epitaxial laser structures provide excellent current and optical confinement. We report here the experimental characterization and theoretical analysis of these confinement effects in quantum well lasers.


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    Titel :

    Confinement effects of AlAs native-oxide apertures buried in quantum well lasers


    Beteiligte:
    Yong Cheng, (Autor:in) / MacDougal, M.H. (Autor:in) / Chao-Kun Lin, (Autor:in) / Dapkus, P.D. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1996


    Format / Umfang :

    163534 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Confinement Effects of AlAs Native-Oxide Apertures Buried in Quantum Well Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996



    Proposal of an AlAs-Oxide Current Confinement Structure for GaInAs/AlGaInAs Long Wavelength Surface Emitting Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996



    Carrier confinement in 1300-nm InGaAsN quantum-well lasers

    Tansu, N. / Yeh, J.-Y. / Mawst, L.J. | IEEE | 2003