The characteristics of pulsed laser ablation for epitaxial film growth are reviewed. New developments in the growth of heteroepitaxial multilayers, stabilization of metastable phases, and growth of semiconductor alloys with continuously variable composition, are described.<>


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Growth of multilayered epitaxial films by pulsed excimer laser ablation


    Beteiligte:
    Lowndes, D.H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.1993


    Format / Umfang :

    185259 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Growth of Multilayered Epitaxial Films by Pulsed Excimer Laser Ablation

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Excimer Laser Ablation Of Human Tooth Enamel

    Nakano, H. / Nakayama, T. / Kubo, U. | IEEE | 1997




    Excimer laser ablation of borocarbide targets [4070-30]

    Amoruso, S. / Armenante, M. / Bruzzese, R. et al. | British Library Conference Proceedings | 2000