An data-processing method has been developed to obtain the device parameters from the resistance-voltage (R-V) characteristics measured in long-wavelength HgCdTe photodiode.


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    Titel :

    Study on parameters extraction from the dark characteristics of LW HgCdTe photodiode


    Beteiligte:
    Quan, Z.J. (Autor:in) / Li, Z.F. (Autor:in) / Hu, W.D. (Autor:in) / Ye, Z.H. (Autor:in) / Hu, X.N. (Autor:in) / Lu, W. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.09.2006


    Format / Umfang :

    1043770 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Modeling of dark characteristics for long-wavelength HgCdTe photodiode

    Quan, Z. J. / Chen, X. S. / Hu, W. D. et al. | British Library Online Contents | 2006


    HgCdTe photodiode performance degradation

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    The HgCdTe electron avalanche photodiode (Invited Paper) [5564-21]

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