Complete activation of irradiative defects in multirecipe Si/sup +/-implanted PECVD grown 5000 nm-thick SiO/sub 2/ on Si via annealing at 1100 /spl deg/C in Ar ambient for 60 min has been observed with maximum visible photoluminescence at 442 nm.


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    Titel :

    Enhanced visible photoluminescence of multienergy silicon ion implanted SiO/sub 2/ films


    Beteiligte:
    Kuo-Cheng Yu, (Autor:in) / Gong-Ru Lin, (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    26820 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Enhanced visible photoluminescence of multi-energy silicon ion implanted SiO~2 films

    Yu, K.-C. / Lin, G.-R. / Guo li Taiwan da xue et al. | British Library Conference Proceedings | 2003




    Microcavity Enhanced Amorphous Silicon Photoluminescence

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997