We report the design and operation of InGaAs/GaAs lasers with monolithically integrated intracavity electroabsorption modulators fabricated by an atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) three-step selective-area growth process.


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    Titel :

    InGaAs/GaAs quantum-well lasers with monolithically integrated intracavity electroabsorption modulators by selective-area MOCVD


    Beteiligte:
    Lammert, R.M. (Autor:in) / Forbes, D.V. (Autor:in) / Smith, G.M. (Autor:in) / Osowski, M.L. (Autor:in) / Coleman, J.J. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1995


    Format / Umfang :

    203333 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch