A wave-guide gallium-doped germanium (Ge:Ga) extrinsic photoconductor coupled to a silicon solid-immersion lens was developed. A linear-array configuration was automatically achieved via the fabrication process. The typical distance between the electrodes was designed to be 0.050 mm (/spl sim/2 wavelength/refractive index), which is about one-tenth of that in conventional Ge:Ga photoconductors. The short distance between the electrodes resulted in high responsivity and low noise characteristics.


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    Titel :

    A novel wave-guide Ge:Ga photoconductor


    Beteiligte:
    Hosako, I. (Autor:in) / Hiromoto, N. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2004-01-01


    Format / Umfang :

    169459 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




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